삼성전자는 이달부터 고성능 '10나노급(1나노:10억분의 1미터) 128Gb(기가비트) 낸드플래시 메모리' 본격 양산에 돌입했다고 11일 밝혔다.
삼성전자는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시 양산을 통해 대용량 내장 스토리지와 SSD 시장을 본격적으로 확대, 기존 64Gb MLC 낸드플래시 시장을 빠르게 전환시켜 나갈 계획이다.
삼성전자는 2012년 11월 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시를 양산한 데 이어 5개월만에 두배 용량의 10나노급 128Gb 낸드플래시 제품 양산에 들어갔다. 이를 통해 대용량 eMMC, SSD 등 업계 최대의 대용량 메모리 스토리지 라인업을 더욱 강화하게 됐다.
이번에 양산에 들어간 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 토글(Toggle) DDR 2.0의 고속 인터페이스를 적용한 업계 최고 수준의 고성능 제품이다. 특히 10나노급 128Gb 3bit MLC는 20나노급 64Gb MLC 대비 2배 이상 생산성이 높다.
삼성전자는 지난 2010년 양산 개시한 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드플래시를 2012년 9월에 출시된 SSD 840시리즈에 탑재해 250GB 이상 대용량 SSD 시장을 크게 확대시켰다.
또 대용량 메모리 스토리지 시장에서 20나노급 64Gb MLC 낸드플래시 시장은 64Gb 3bit MLC 낸드플래시 시장으로 빠르게 전환돼 왔다.
올해는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시가 128GB 메모리 카드 시장과 500GB이상 대용량 SSD 시장을 더욱 확대시켜 SSD 대중화 시대를 앞당기는데 크게 기여할 것으로 전망된다.
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 "고성능 128Gb 낸드플래시를 본격 양산함으로써 대용량 스토리지 시장에서 제품 경쟁력을 더욱 강화시키게 됐다"며 "향후에도 차세대 메모리 제품을 적기에 출시해 고객 요구에 적극 대응해 나갈 것"이라고 밝혔다.
